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中国在这个领域仍明显落后,但韩国已感到巨大威胁

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发表于 2018-11-17 21:28:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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中国在这个领域仍明显落后,但韩国已感到巨大威胁

参考消息网11月14日报道 韩媒称,韩国半导体行业纷纷开始着手应对中国的半导体追击,试图甩开与中国的技术差距。韩国半导体行业的两大巨头三星电子和SK海力士接连开始量产世界顶级技术的存储芯片,加快扩大与中国的技术差距。

据韩国《中央日报》11月13日报道,SK海力士11月12日表示,公司研发出了应用第二代10纳米级(1y)微加工技术的8Gb DDR4 DRAM。该产品比此前第一代(1x)的生产效率提高了20%,耗电率降低了15%。传送数据时可以一次交换的信号量增加到以前的两倍,将数据传送速度提高到了行业最高水平。SK海力士负责D Lab市场推广的金石(音)常务表示,“就好比增加高速公路收费处的数量,车辆行驶可以更加通畅,就是这个原理”,“明年第一季度我们将陆续量产用于电脑和服务器的新产品,并将尽快推出用于手机的产品”。

三星电子去年11月开始批量生产技术水平相仿的DRAM(动态随机存取存储器),今年7月已经开始量产应用更先进的第二代10纳米级(1y)微加工技术的16Gb手机用DRAM。

报道称,进入历史最繁荣周期的韩国半导体产业面临的最大威胁便是中国的猛烈追击。

报道称,业界普遍认为,目前中国存储芯片的技术水平比韩国落后3-5年。虽然如此,中国的半导体追击依然是引发需求激增的半导体行业出现“价格触顶”争议的主要原因。

报道称,目前中国计划批量生产的存储芯片与韩国产品的需求层并不相同。比如说,中国YMTC(长江存储)宣布将在明年批量生产的半导体属于32层3D Nand闪存,这是三星电子和SK海力士从2014年开始批量生产的产品,目前两家企业基本已经不再生产这种产品。目前三星和SK海力士生产的主力产品是64-72层3D Nand闪存,与中国企业拉开了巨大的技术差距。Nand闪存用来增加电路的“层数”越多,就需要越高的技术水平,即使同样“层数”的产品,也根据技术水平分为多个级别。三星电子2012年推出20纳米级(2y)DRAM产品后,直到5年后的2017年11月才开始批量生产下一级别的第二代10纳米级DRAM产品。

在Nand闪存领域,三星电子已经开始为批量生产第六代(120层以上)产品做准备。

不过,虽然目前还拥有巨大的技术差距,但韩国半导体行业一致认为,中国的技术发展速度对韩国半导体行业产生了巨大威胁。报道认为,如果中国正式开始大批量供应半导体产品,半导体的价格必然会出现下降。全球市场研究公司DRAMeXchange预计,明年DRAM的价格将比今年下降15%-20%,Nand闪存的价格将会下降25%-30%之多。汉阳大学融合电子工程系朴在勤教授表示,“虽然需求群体并不相同,但由于心理因素等的影响,价格下滑将不可避免”。

报道称,现在三星电子已经开始引进生产10纳米级以下新一代DRAM的极紫外光刻(EUV)生产线,SK海力士也将在年底开始量产96层4D Nand闪存半导体。三星电子存储芯片事业部负责营销的专务全世元(音)表示,“我们将扩大高端DRAM生产线,持续主导超高速、大容量、超省电的存储芯片发展趋势”。


(来源:参考消息网)



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